Transphorm发布业界首款1200 V GaN-on-Sapphire器件仿真模型
盖世汽车讯 据外媒报道，半导体公司Transphorm宣布推出其1200 V FET仿真模型和初步数据表：TP120H070WS FET，这也是是迄今为止推出的唯一一款1200 V GaN-on-Sapphire功率半导体。
图片来源：Transphorm
此次发布表明Transphorm有能力支持未来的汽车电源系统，以及通常用于广泛的工业、数据通信和可再生能源市场的三相电源系统。这些应用将受益于1200 V GaN器件更高的功率密度和可靠性，以及更好的性能（与替代技术相比）。
来源：盖世汽车
作者：刘丽婷
本文地址：
以上内容转载自盖世汽车，目的在于传播更多信息，转载内容并不代表第一电动网（www.d1ev.com）立场。
文中图片源自互联网，如有侵权请联系admin@d1ev.com删除。
相关内容
全部评论·2
暂无评论
