英飞凌推出新一代1200 V CoolSiC MOSFET 适用于汽车应用
盖世汽车讯 6月13日,英飞凌科技股份公司(Infineon Technologies)宣布推出适用于汽车应用的新一代1200 V CoolSiC™ MOSFET,采用TO263-7封装。该车规级碳化硅(SiC)MOSFET可提供高功率密度和效率,支持双向充电,并可显著降低车载充电(OBC)和DC-DC应用的系统成本。
图片来源:英飞凌
来源:盖世汽车
作者:刘丽婷
本文地址:
以上内容转载自盖世汽车,目的在于传播更多信息,转载内容并不代表第一电动网(www.d1ev.com)立场。
文中图片源自互联网,如有侵权请联系admin@d1ev.com删除。
相关内容
全部评论·0
暂无评论