东芝推出第三代碳化硅MOSFET 可降低开关损耗

盖世汽车刘丽婷

盖世汽车讯据外媒报道，东芝电子元件及存储装置株式会社（Toshiba，东芝）推出采用有助于降低开关损耗4引脚TO-247-4L（X）封装的碳化硅（SiC）MOSFET，即TWxxxZxxxC系列。该产品采用东芝最新的第三SiC MOSFET芯片，用于支持工业设备应用。该系列产品共有10款，其中5款额定电压为650V，另外五款额定电压为1200V，并均已开始批量出货。