创意电子推出5nm HBM3 IP 已通过8.4 Gbps流片验证

盖世汽车 Elisha

盖世汽车讯 9月6日，先进专用集成电路（ASIC）厂商创意电子公司（GUC）宣布，其基于台积电（TSMC）5nm制程技术的HBM3 IP解决方案已通过8.4 Gbps流片验证。该平台包含全功能HBM3控制器和物理层IP（PHY IP），以及采用台积电先进CoWoS®技术的厂商HBM3内存。

目前，HBM内存供应商制定了积极的路线图，将传输率和内存大小从HBM3提高到HBM3E/P，并在HBM4上进一步将信号总线宽度加倍。但是，基本DRAM时序参数没有改变，并且HBM控制器变得越来越复杂，以提高总线利用率。

创意电子的HBM3控制器可在随机存取时实现90%以上的总线利用率，同时保持低延迟性。创意电子采用台积电5nm技术的HBM3 IP已通过流片验证，并于今年年初推出采用台积电3nm技术的HBM3 IP，该IP支持台积电CoWoS-S和CoWoS-R，可达到下一代HBM3E/P内存（尚在规划中）的速度。自2020年起，创意电子的HBM控制器和物理层IP已用于客户生产的HPC ASIC。

来源：盖世汽车

作者：Elisha

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