英飞凌率先推出全球首款300毫米功率氮化镓技术
盖世汽车讯 9月11日,英飞凌科技股份公司(Infineon Technologies)宣布已成功开发出全球首个300毫米功率氮化镓(GaN)晶圆技术。英飞凌是全球首家在现有可扩展大批量生产环境中掌握这项突破性技术的公司。这一突破将有助于大幅推动基于GaN的功率半导体市场。与200毫米晶圆相比,300毫米晶圆上的芯片生产在技术上更先进,效率也更高,因为更大的晶圆直径可容纳2.3倍的芯片数量。

图片来源:英飞凌
来源:第一电动网
作者:盖世汽车
本文地址:
以上内容转载自盖世汽车,目的在于传播更多信息,转载内容并不代表第一电动网(www.d1ev.com)立场。
文中图片源自互联网,如有侵权请联系admin@d1ev.com删除。
相关内容
全部评论·1
暂无评论