英飞凌推出全新CoolSiC™ MOSFET 750V G2封装技术

盖世汽车讯 12月10日，英飞凌科技股份公司（Infineon Technologies AG）推出全新CoolSiC™ MOSFET 750V G2封装技术，旨在为汽车和工业电源转换应用提供最高的系统效率和功率密度。这项最新创新技术现已推出多种封装形式，包括Q-DPAK和D2PAK，其典型导通电阻（RDS(on)）在25°C下最高可达60 mΩ。

图片来源：英飞凌

此次产品组合扩展涵盖了适用于各种应用的产品，例如汽车行业的车载充电器和高低压直流-直流转换器，以及服务器和电信行业的开关电源，还有工业应用中的电动汽车充电基础设施。4 mΩ的超低导通电阻（RDS(on)）使其能够满足对静态开关性能要求极高的应用，例如电子熔断器、高压电池隔离开关、固态断路器和固态继电器。这种无与伦比的性能使设计人员能够创建更高效、更紧凑、更可靠的系统，满足最严苛的要求。

来源：第一电动网

作者：盖世汽车

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