Nexperia推出采用QDPAK封装的1200V碳化硅MOSFET 突破高功率设计的散热瓶颈

盖世汽车讯 据外媒报道，全球半导体制造商Nexperia推出采用QDPAK封装的1200V碳化硅（SiC）MOSFET，进一步扩展了其不断壮大的宽禁带（WBG）产品组合。该器件采用顶部冷却的表面贴装封装，针对高功率密度和散热要求高的应用进行了优化。这些器件专为高效高压功率转换应用而设计，能够简化散热管理和机械集成，充分发挥Nexperia SiC技术的电气性能，从而在紧凑的设计中实现了更高的输出功率、更高的效率和更优异的散热性能。

图片来源：Nexperia

该产品组合提供工业级和车规级两种版本，导通电阻（RDS(on)）可选17、30、40、60和80mΩ，为从高功率系统到具有严苛散热和机械限制的紧凑型设计等各种应用提供可扩展的QDPAK平台。QDPAK是对Nexperia现有封装产品组合的补充，为设计人员提供了更大的灵活性，以优化效率、功率密度和散热性能。