红旗碳化硅功率芯片首次流片成功，突破1200V高电压技术

近日，一汽红旗宣布其研发总院新能源开发院功率电子开发部自主设计的碳化硅功率芯片已完成首次流片。这一成果标志着红旗在新能源汽车核心部件的研发上取得了重要进展。该芯片从核心指标定义到晶圆封测，实现了全链条主导开发，展现了红旗在新能源汽车技术领域的自主创新能力。

这款碳化硅功率芯片专为整车电驱动、智慧补能等系统应用设计，采用创新的低导通电阻元胞结构和高元胞密度版图，实现了超过1200V的击穿电压和小于15mΩ的导通电阻。这些特性使得芯片在效率、可靠性、集成化及标准化方面达到了均衡设计，有望为红旗新能源汽车带来更高的性能和更长的续航能力。

这一突破不仅展示了红旗在新能源汽车领域的技术实力，也为中国新能源汽车产业的发展注入了新的动力。随着碳化硅功率芯片的进一步开发和应用，红旗有望在新能源汽车市场占据更有利的竞争地位。